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電子元器件之半導(dǎo)體集成電路選用八大原則

發(fā)布時(shí)間:2020-09-17瀏覽次數(shù):載入中...

電子元器件是電子產(chǎn)品基本組成單元,電子設(shè)備的故障有很大一部分是由于元器件的性能、質(zhì)量或選用的不合理而造成的,故電子元器件的正確選用是保護(hù)電子產(chǎn)品可靠性的基本前提??煽啃栽O(shè)計(jì)就是選用在壞的使用環(huán)境下仍能保證高可靠性的元器件的過(guò)程。

半導(dǎo)體集成電路選用八大原則

一、集成電路的優(yōu)選順序?yàn)槌笠?guī)模集成電路→大規(guī)模集成電路→中規(guī)模集成電路→小規(guī)模集成電路。

二、盡量選用金屬外殼集成電路,以利于散熱。

三、選用的集成穩(wěn)壓器,其內(nèi)部應(yīng)有過(guò)熱、過(guò)電流保護(hù)電路。

四、超大規(guī)模集成電路的選擇應(yīng)考慮可以對(duì)電路測(cè)試和篩選,否則影響其使用可靠性。

五、集成電路MOS器件的選用應(yīng)注意以下內(nèi)容:

  • MOS器件的電流負(fù)載能力較低,并且容抗性負(fù)載會(huì)對(duì)器件工作速度造成較大影響。

  • 對(duì)時(shí)序、組合邏輯電路,選用器件的比較高頻率應(yīng)高于電路應(yīng)用部位的2~3倍。

  • 對(duì)輸入接口,器件的抗干擾要強(qiáng)。

  • 對(duì)輸出接口,器件的驅(qū)動(dòng)能力要強(qiáng)。

六、應(yīng)用CMOS集成電路時(shí)應(yīng)注意下列問(wèn)題:

  • CMOS集成電路輸入電壓的擺幅應(yīng)控.制在源極電源電壓與漏極電源電壓之間。

  • CMOS集成電路源極電源電壓VSS為低電位,漏極電源電壓VDD為高電位,不可倒置。

  • 輸入信號(hào)源和CMOS集成電路不用同一組電源時(shí),應(yīng)先接通CMOS集成電路電源,后接通信號(hào)源;應(yīng)先斷開(kāi)信號(hào)源,后斷開(kāi)CMOS集成電路電源。
  • CMOS集成電路輸入(出)端如接有長(zhǎng)線(xiàn)或大的積分或?yàn)V波電容時(shí),應(yīng)在其輸入(出)端串聯(lián)限流電阻(1~10kΩ),把其輸入(出)電流限制到10mA以?xún)?nèi)。

  • 當(dāng)輸入到CMOS集成電路的時(shí)鐘信號(hào)因負(fù)載過(guò)重等原因而造成邊沿過(guò)緩時(shí),不僅會(huì)引起數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,而且會(huì)使其功耗增加,可靠性下降。為此可在其輸入 端加一個(gè)施密特觸發(fā)器來(lái)改善時(shí)鐘信號(hào)的邊沿。

七、CMOS集成電路中所有不同的輸入端不應(yīng)閑置,按其工作功能一般應(yīng)作如下處理:

  • 與門(mén)和非門(mén)的多余端,應(yīng)通過(guò)0.5~1MΩ的電阻接至VDD或高電平。

  • 或門(mén)和或非門(mén)的多余端,應(yīng)通過(guò)0.5~1MΩ的電阻接至VSS或低電平。

  • 如果電路的工作速度不高,功耗也不要特別考慮的話(huà),可將多余端與同一芯片上相同功能的使用端并接。應(yīng)當(dāng)指出,并接運(yùn)用與單個(gè)運(yùn)用相比,傳輸特性有些變化。

八、選用集成運(yùn)算放大器和集成比較器時(shí)應(yīng)注意下列問(wèn)題:

  • 無(wú)內(nèi)部補(bǔ)償?shù)募蛇\(yùn)算放大器在作負(fù)反饋應(yīng)用時(shí),應(yīng)采取補(bǔ)償措施,防止產(chǎn)生自激振蕩。
  • 集成比較器開(kāi)環(huán)應(yīng)用時(shí),有時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自激振蕩。采取的主要措施是實(shí)施電源去耦,減小布線(xiàn)電容、電感耦合。
  • 輸出功率較大時(shí),應(yīng)加緩沖級(jí)。輸出端連線(xiàn)直通電路板外部時(shí),應(yīng)考慮在輸出端加短路保護(hù)。
  • 輸入端應(yīng)加過(guò)電壓保護(hù),特別當(dāng)輸入端連線(xiàn)直通電路板外部時(shí),必須在輸入端采取過(guò)電壓保護(hù)措施。






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